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達(dá)沃西冷水機(jī)在半導(dǎo)體芯片加工環(huán)節(jié)中的應(yīng)用

更新時(shí)間:2025-02-26      點(diǎn)擊次數(shù):833

           達(dá)沃西冷水機(jī)在半導(dǎo)體芯片加工環(huán)節(jié)中的應(yīng)用

達(dá)沃西半導(dǎo)體用冷水機(jī)在半導(dǎo)體芯片加工環(huán)節(jié)中的應(yīng)用。冷水機(jī)的循環(huán)液的溫度、流量和壓力進(jìn)行準(zhǔn)確控制,以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體工藝制程的控溫需求,是集成電路制造過程中的關(guān)鍵設(shè)備,溫控精度和溫控范圍要求高,應(yīng)用在刻蝕、薄膜沉積、涂膠顯影、 擴(kuò)散與氧化、離子注入、CMP等設(shè)備。

1. 光刻(Photolithography

作用:光刻機(jī)在曝光過程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量,溫度波動(dòng)會(huì)導(dǎo)致光刻膠的形變和光刻圖案的偏移。冷水機(jī)通過提供±0.1℃以內(nèi)的高精度冷卻水,維持光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)及激光光源的恒溫,確保曝光精度。

2. 刻蝕(Etching

作用:干法刻蝕(如等離子刻蝕)設(shè)備在運(yùn)行中會(huì)因高頻電場(chǎng)產(chǎn)生高溫,若不及時(shí)冷卻,可能導(dǎo)致刻蝕速率不穩(wěn)定或設(shè)備損壞。冷水機(jī)通過循環(huán)冷卻水快速散熱,維持刻蝕腔體溫度穩(wěn)定,保障刻蝕均勻性和工藝重復(fù)性。

特殊要求:部分刻蝕工藝需使用腐蝕性氣體,冷水機(jī)需采用耐腐蝕材料(如鈦合金換熱器)

3. 離子注入(Ion Implantation

作用:離子注入機(jī)的高能離子束轟擊晶圓時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱量,可能導(dǎo)致晶格損傷或摻雜分布不均。冷水機(jī)通過冷卻靶盤和束流控制部件,確保注入過程的溫度穩(wěn)定性,提升摻雜精度。

4. 擴(kuò)散與氧化(Diffusion & Oxidation

作用:擴(kuò)散爐和氧化爐在高溫(800°C~1200°C)下運(yùn)行時(shí),設(shè)備冷卻系統(tǒng)需通過冷水機(jī)快速帶走熱量,防止?fàn)t體過熱并維持工藝溫度的均勻性。例如,氧化工藝中硅片需在嚴(yán)格控溫環(huán)境中生長(zhǎng)二氧化硅層,冷水機(jī)可防止熱應(yīng)力導(dǎo)致的晶圓翹曲。

5. 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP

作用:CMP設(shè)備在拋光過程中因摩擦產(chǎn)生高溫,可能導(dǎo)致拋光液揮發(fā)或晶圓表面缺陷。冷水機(jī)通過冷卻拋光墊和傳動(dòng)系統(tǒng),控制工藝溫度,減少拋光液黏度變化,提升表面平整度。

6. 薄膜沉積(Thin Film Deposition

作用:在物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)過程中,反應(yīng)腔體的冷卻至關(guān)重要。例如,CVD工藝中高溫氣體需通過冷水機(jī)快速冷卻,避免副反應(yīng)發(fā)生;濺射靶材的冷卻則能延長(zhǎng)設(shè)備壽命并提升薄膜均勻性。

7. 封裝與測(cè)試(Packaging & Testing

作用:

封裝:芯片封裝過程中需冷卻熱壓焊機(jī)、注塑機(jī)等設(shè)備,防止封裝材料因高溫變形或固化不均4。

測(cè)試:在芯片功能測(cè)試和老化測(cè)試中,冷水機(jī)為測(cè)試設(shè)備提供穩(wěn)定的低溫環(huán)境(如-40°C~150°C),模擬溫度條件,驗(yàn)證芯片可靠性。

特殊需求:部分測(cè)試需快速降溫(如30秒內(nèi)降至設(shè)定溫度),要求冷水機(jī)具備高制冷功率和動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力

   作為半導(dǎo)體溫控整體設(shè)備供應(yīng)商,深圳達(dá)沃西恒溫?fù)碛卸嗄甑臏囟瓤刂平?jīng)驗(yàn)以及設(shè)備機(jī)臺(tái)配套經(jīng)驗(yàn),冷水機(jī)在芯片加工中的技術(shù)特點(diǎn)1.超高精度溫控:溫度波動(dòng)需控制在±0.1°C以內(nèi),2.耐腐蝕與潔凈性:采用不銹鋼或鈦合金水路,避免金屬離子污染;內(nèi)置過濾系統(tǒng)攔截微粒(10μm),。3.低振動(dòng)與低噪音:壓縮機(jī)采用隔音罩和減震設(shè)計(jì),避免干擾敏感工藝

4.快速降溫能力:在測(cè)試環(huán)節(jié)中,制冷系統(tǒng)需在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)大溫差降溫(如30°C5°C),確保測(cè)試效率,具備單通道、多通道半導(dǎo)體溫控設(shè)備批量生產(chǎn)能力;可實(shí)現(xiàn)從晶圓制造、涂膠顯影、刻蝕、清洗、薄膜沉積到實(shí)驗(yàn)室測(cè)試研發(fā)等各個(gè)環(huán)節(jié)中的準(zhǔn)確溫控。達(dá)沃西恒溫目前已與半導(dǎo)體多領(lǐng)域行業(yè)大企業(yè)達(dá)成合作,可為客戶提供標(biāo)準(zhǔn)品及用戶定制品,自2014年創(chuàng)辦以來不斷創(chuàng)新,注重研發(fā)和質(zhì)量把控。助力于集成電路新一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

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